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  • “A conductive topological insulator with large spin Hall effect for ultralow power spin-orbit torque switching” Nature Materials(2018) DOI : 10.1038/s41563-018-0137-y, Published: 30 July 2018 工学院 電気電子系 ファム・ナム・ハイ准教授

“A conductive topological insulator with large spin Hall effect for ultralow power spin-orbit torque switching” Nature Materials(2018) DOI : 10.1038/s41563-018-0137-y, Published: 30 July 2018 工学院 電気電子系 ファム・ナム・ハイ准教授

スピン軌道トルク磁気抵抗メモリは、スピンホール効果による純スピン流を用いて、高速で書き込みができる次世代の不揮発メモリ技術です。ファム・ナム・ハイ准教授らは、次世代メモリの実現に向けた、トポロジカル絶縁体であるBiSbの(012)面方位を用いた世界最高性能の純スピン注入源を開発しました。この技術の応用により、省エネ化、記録速度/記録密度が向上した次世代メモリの実現が期待できます。
・論文ホームページ: http://www.nature.com/articles/s41563-018-0137-y
・東工大ニュース:https://www.titech.ac.jp/news/2018/041980.html
・プレスリリース:  https://www.titech.ac.jp/news/pdf/tokyotechpr20180727_pham_web_QfxCSgPd.pdf
・ファム・ナム・ハイ研究室のご紹介:  http://magn.pe.titech.ac.jp/lab/


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