“How we made the IGZO transistor”Nature Electronics　1巻、7月号 (2018) doi: 10.1038/s41928-018-0106-0, Published online: 13 July 2018

科学技術創生研究院 元素戦略研究センター 細野秀雄教授
細野秀雄教授が注目したのは、イオン結合性が強い酸化物で、周期律表上のpブロックに属する非遷移金属イオンから構成される系でした。インジウム（In）、ガリウム（Ga）、亜鉛（Zn）を含む酸化物（IGZO、通称イグゾー）を使った薄膜トランジスタ（TFT）は、これまでにない高解像・省電力のディスプレイを実現しました。従来、独占的に使われてきた水素化アモルファスシリコンよりも電子の動きやすさ（移動度）が一桁大きく、オフ電流が極めて小さく、しかも、透明で光を通すためです。すでにスマホやタブレットなどの液晶画面の駆動に応用されてきました。本命と考えられていた大型の有機ELテレビの駆動にも3年前、採用されました。韓国と日本の電気メーカーから製品が発売され、テレビ売り場の中央に置かれているように、市場が急速に広がりつつあります。
・論文ホームページ： https://www.nature.com/articles/s41928-018-0106-0
・東工大ニュース：https://www.titech.ac.jp/news/2018/041884.html
・プレスリリース：  https://www.titech.ac.jp/news/pdf/tokyotechpr20180720_hosono_yx99x7fy.pdf
・細野研究室のご紹介:  https://educ.titech.ac.jp/mat/news/2017_02/053324.html